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基于40 nm MOSFET的器件物理结构,建立了统一的MOSFET毫米波噪声模型,以此来表征漏极电流噪声、感应栅极电流噪声以及两者之间的互相关噪声的特性。通过将栅极过载效应引入高频噪声模型,使得统一模型具有良好的平滑性、准确性和连续性。最后,将所建模型的仿真结果与传统的高频噪声模型进行对比,并且对比所建模型与传统模型的四噪声参数以及实测的数据来验证模型的有效性和精准性。