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SiC高温高能离子注入机的离子源热场研究
SiC高温高能离子注入机的离子源热场研究
来源 :电子工业专用设备 | 被引量 : 0次 | 上传用户:csliu08
【摘 要】
:
高温高能离子注入机是宽禁带半导体SiC产业的关键设备,离子源直接影响整机的性能指标。为保证离子源的长寿命和大束流,针对SiC高温高能离子注入机中的离子源热场问题,采用仿真软
【作 者】
:
彭立波
张赛
易文杰
罗才旺
孙雪平
【机 构】
:
中国电子科技集团公司第四十八研究所
【出 处】
:
电子工业专用设备
【发表日期】
:
2017年3期
【关键词】
:
碳化硅(SiC)
离子注入机
离子源
SiC
Ion implant
Ion source
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高温高能离子注入机是宽禁带半导体SiC产业的关键设备,离子源直接影响整机的性能指标。为保证离子源的长寿命和大束流,针对SiC高温高能离子注入机中的离子源热场问题,采用仿真软件对灯丝、阴极帽和AlX罩的热场、热变形进行了研究,提出了离子源运用过程中的注意事项及改进设计。
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