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用光荧光谱和二次离子质谱的方法，研究了由Si3N4电介质薄膜引起的无杂质空位诱导InGaAs/InP多量子阱结构的带隙蓝移。实验中选用Si3N4作为电介质层，用以产生空位,并经快速热退火处理。实验结果表明，带隙蓝移同退火时间和退火温度有关，合理选用退火条件可以控制带隙的蓝移量。二次离子质谱分析表明，电介质盖层Si3N4和快速热退火导致量子阱中阱和垒之间互扩，这种互扩是导致带隙蓝移的主要原因。