【摘 要】
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利用氩离子束对硅基底表面进行轰击,形成了不同规则的纳米织构,对不同织构的变化规律进行系统的研究,采用原子力显微镜分析表面形貌.结果表明,随着氩离子垂直轰击基底表面的
【机 构】
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西安交通大学电子与信息工程学院电子物理与器件教育部重点实验室 西安 710049
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利用氩离子束对硅基底表面进行轰击,形成了不同规则的纳米织构,对不同织构的变化规律进行系统的研究,采用原子力显微镜分析表面形貌.结果表明,随着氩离子垂直轰击基底表面的时间从0增加到15 min,表面粗糙度由0.205增大到0.490 nm,且当垂直轰击基底15 min时,表面呈现出纳米点阵织构;当氩离子与基底呈一定夹角轰击时,基底表面呈现波纹纳米织构,且随着轰击角度的增加,表面逐渐变得粗糙.当离子束轰击时间继续增加时,基底表面织构基本维持不变.研究结果为进一步探索离子束表面改性技术对不同基底表面形貌产生的影响、提高沉积薄膜附着力、以及离子束刻蚀等工作提供了理论参考.
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