【摘 要】
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采用磁控溅射方法,在H2/Ar混合气氛下制备了GZO薄膜和在Ar气氛下制备了GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,分别研究了 H2 流量和 Cu 层厚度对薄膜透明导电性能的影响。在此基础上,在 H2
【机 构】
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武汉科技大学钢铁冶金及资源利用省部共建教育部重点实验室
【基金项目】
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高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放课题（SKL2011IOSIC）
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采用磁控溅射方法,在H2/Ar混合气氛下制备了GZO薄膜和在Ar气氛下制备了GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,分别研究了 H2 流量和 Cu 层厚度对薄膜透明导电性能的影响。在此基础上,在 H2/Ar 混合气氛下制备了GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,对Cu层厚度对其性能的影响进行了研究。结果表明,沉积气氛中引入H2能有效降低GZO 薄膜的电阻率而提高其透光率,在 H2 流量为 20 sccm 时 GZO 薄膜具有最佳性能。随着 Cu 厚度的增加,GZO/Cu/GZO多层结构薄膜的电阻率和平均透过率显著下
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