GZO薄膜相关论文
透明导电氧化物薄膜（TCO）因其透光导电性能而广泛应用于电子信息、微波屏蔽等日常生活和国防科技等领域。其中锡掺杂氧化铟（ITO）薄膜因......
随着太阳能光伏技术、平面显示、气敏传感器、特殊功能窗口涂层以及各种电子器件领域的研究发展,透明导电氧化物（TCO）薄膜在半导体材......
显示技术的飞速发展对显示材料和器件提出了更低成本、更环保的要求。掺镓氧化锌（GZO）材料不含In元素绿色无毒,同时GZO薄膜既可以用......
透明导电氧化物(TCO)薄膜因其兼备类似金属的高导电性和类似玻璃一样的高透光性,而格外适用于薄膜太阳能电池的前电极和背电极。在......
通过溶胶凝胶技术制备了不同Ga掺杂含量的Zn O透明导电薄膜,研究了Ga掺杂对GZO薄膜结构、电学及光学性能的影响.从X射线衍射光谱分......
本文采用直流和射频磁控溅射的方法，在柔性PET基片以及玻璃基片上分别制备了不同工艺条件下的ITO，GZO薄膜样品。利用X射线衍射，台阶仪......
在透明导电薄膜中，Ga掺杂的ZnO（GZO）因具有较好透明导电性、原料丰富、无毒等性能而被受到广泛的重视，但低衬底温度（室温）下制备的薄膜往......
ZnO基透明导电氧化物薄膜有优良的光学和电学性能。掺杂Ga到ZnO薄膜(GZO)中时,GZO薄膜的晶格畸变能会比较小,在室温条件下制备GZO......
ZnO基透明导电氧化物薄膜作为一种有望取代ITO薄膜的光电信息材料,具有原材料丰富、价格低、无毒,且在氢等离子体中稳定性相对较好......
采用射频(RF)磁控溅射技术在室温条件下制备了基于柔性PI衬底上不同氧化镓(Ga_2O_3)掺杂浓度的ZnO(GZO)薄膜。研究发现,在Ga_2O_3......
本文采用直流磁控溅射沉积系统在玻璃基底上沉积镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜,将溅射功率从120W调整到240W,步长为30W,研究功率变化对GZO......
利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓掺杂氧化锌(GZO)透明导电薄膜,研究了沉积温度对GZO薄膜的结构、光学和电学性能的影响.......
介绍了制备GZO薄膜的各种方法，如磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶一凝胶法、脉冲激光沉积法、喷雾热解法；阐述了这些方法的镀膜原......
采用磁控溅射方法,在H2/Ar混合气氛下制备了GZO薄膜和在Ar气氛下制备了GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,分别研究了 H2 流量和 Cu 层厚度对......
采用磁控溅射法在普通玻璃上制备了Ga掺杂ZnO（GZO）薄膜,研究了退火处理对GZO薄膜组织结构、表面形貌及光电性能的影响,并利用扫描电......
本文利用射频磁控溅射的方法首次制备了厚度小于200nm的低电阻率高透过率的镓掺杂ZnO（GZO）薄膜。研究了溅射功率的改变对GZO薄膜光电......
本文采用直流磁控溅射沉积系统在玻璃基底上沉积镓掺杂氧化锌（GZO）薄膜，将溅射功率从120W调整到240W，步长为30W，研究功率变化对GZO薄膜......
采用射频磁控溅射方法，用Ga2O3含量为1％的ZnO做靶材，在不同基体温度和不同溅射压强的条件下制备了高质量的GZO透明导电薄膜．结果表明：基......
采用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Ga2O3含量为3wt.%的掺镓氧化锌透明导电薄膜（GZO）。通过X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子......
通过溶胶凝胶技术制备了不同Ga掺杂含量的Zn O透明导电薄膜,研究了Ga掺杂对GZO薄膜结构、电学及光学性能的影响.从X射线衍射光谱分......
ZnO作为一种宽禁带半导体材料,通过Al、Ga等Ⅲ族元素的掺杂可以使薄膜的电学性能得到很大程度的提升。资源丰富、价格低廉、无毒、......
采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备掺镓氧化锌透明导电薄膜,用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、霍尔效应仪等......
采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备了Ga掺杂ZnO（GZO）薄膜,在传统磁控溅射系统中引入外加磁场,探究了磁场强度变化对GZO薄膜晶体结......
利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备ZnO∶Ga透明导电氧化物薄膜,主要研究了一种类调制掺杂工艺对GZO薄膜的薄膜形貌结构和光......
氧化锌(ZnO)是II-VI族直接带隙(3.3eV)半导体氧化物,由于其优良的光电特性等,在发光器件、紫外探测器、太阳能电池、气敏元件以及......
ZnO薄膜具有非常优异的电学、光学和发光性能,可用于薄膜晶体管、太阳能电池和激光器等光电器件,但本征态ZnO薄膜难以同时具有优良......
本文利用射频磁控溅射技术制备GZO透明导电薄膜,研究了溅射压强、溅射功率、高温退火、H等离子处理等工艺对薄膜性能的影响,制得了......
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