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α—ThSi_2型构造的CeSi_X和CeSi_(2-X)Ge_X,随着Si浓度的不同,呈现非磁性——强磁性相变,是属于近藤格子。在该系统中,磁矩如何出现,居理温度在Si临界浓度附近如何变化?本文在Si临界浓度附近,详细研究了比热、磁化率和磁比,从而给出了CeSi_X磁性——非磁性相变的规律。