【摘 要】
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为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室,复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室,复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室,复旦大学应用表面物理
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为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,由于它比SiO_2薄膜具有更多的优点,并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用,所以研究SiN_xO_y薄膜是否可以成为一种合适的硅基发光材料也就显得十分有意义了.就我们所知,还没有文献报道SiN_xO_y薄膜光致发光(PL)特性的研究.
In order to realize the silicon-based optoelectronics integration, people are devoted to searching for suitable silicon-based luminescent materials. Since SiO 2 film is an important masking film and dielectric film in silicon integrated circuits, it is being studied as a promising luminescent material , And get some valuable results As we all know, SiN_xO_y silicon film is also an important integrated circuit mask and dielectric film, because it has more advantages than the SiO_2 film, and has been more and more VLSI Therefore, it is very meaningful to study whether SiN_xO_y thin film can be a suitable Si-based phosphor.As far as we know, there is no report on photoluminescence (PL) properties of SiN_xO_y thin films.
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