深能级相关论文
采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石衬底上生长的In GaN/GaN多量子阱（MQW）结构中存在大量的深能级,电子空穴在多量子阱中......
用深能级瞬态谱（DLTS）研究了分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中的深能级.带金电极的高纯GaAs薄膜经不同温度的热退火,其DLTS峰谱的位置......
热电材料作为一种半导体材料,能够实现电与热之间相互转换,最大的特点是可以利用自然界存在的温差来为人类提供热电发电,因此能大......
熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe或者CZT)晶体中存在着很多缺陷，这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级，从而严重影响CZT的......
会议
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga0.5In0.5P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关......
利用电光晶体的光折变效应产生位相共轭光已经成为了一种重要的光学位相共轭方法.光折变位相共轭具有建立阈值低、保真度高和大损......
通过傅里叶变换红外光谱、拉曼光谱和光致发光谱测试手段分析了由HIRFL提供的高能238U离子辐照AlN晶体薄膜的光学特性变化。辐照后......
文章简要地叙述了光激电流瞬态谱(PICTS)及恒流光电导(CCPC)设备的建立过程及测量方法。并首次用二种方法结合起来以研究掺铁半绝......
本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅（ＣＺＳｉ）在温度３５０℃～５５０℃等时退火后的光致发光谱（ＰＬ谱）。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激发峰强度增加，ＰＬ谱随着锗浓......
测量了ＧａＰ纯绿发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱，研究了老化产生的深能级的来源及其对二极管发光效率的影响．在老化后的发光光......
本文研究７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性．发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷，使阈值电压下降；而栅边缘氧化层对......
本文对电子辐照 NTD 硅中少数戴流子寿命τ的测量结果进行了分析,获得了未退火时τ与 T(77K～300K)的线性关系和寿命的相对偏差|△τ......
采用固相反应法合成了单掺和双掺稀土离子Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋的ＣａＳ：Ｂｉ荧光粉，测定了试样的荧光光谱和有效余辉。与ＣａＳ：Ｂｉ相比，掺入Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋的荧光粉，Ｂｉ３＋特征发射峰４４７ｎｍ增强，有效余......
利用电流电压（ Ｉ Ｖ）、电致发光（ Ｅ Ｌ）和深能级瞬态傅里叶谱（ Ｄ Ｌ Ｔ Ｆ Ｓ）技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态．观察到大电流（直流）冲击引起电......
利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原......
运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压ＭＯＣＶＤ方法外延生长的ＧａＮ蓝光二极管的杂质发光光谱．研究结果表明近场光谱能够给出样品表面微区......
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象......
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象......
用波长范围为 70 0～ 3 5 0 0 nm的光电流测试系统研究了 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中的深能级。结果显示在 SI-Ga As衬底及其 ME......
利用变温霍尔和电流 -电压特性 (I- V)两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量 .在非掺退火后的半导体磷化......
借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和......
氧化锌薄膜通过金属有机化学气相沉积方法生长在康宁玻璃与α-蓝宝石衬底上,研究了有关薄膜的生长质量与发光特性。通过X光衍射方......
旁栅偏压条件下,GaAsMESFET沟道电流的迟滞行为与衬底深能级EL2和沟道-衬底结的特性密切相关.实验研究发现,外加旁栅偏压条件下,沟......
通过变温I-V测试方法对中波Si基碲镉汞光伏探测器的深能级进行了研究.首先在产生-复合电流为主导电流机理范围内对Si基碲镉汞探测......
InP的配比度对晶体质量及相关器件性能有重要影响。若In-P熔体为富铟状态,不仅不容易生长单晶,而且易出现铟夹杂物;若熔体为富磷状......
1.前言目前,已有文献报道如何应用反向偏置二极管作相移电路元件,及如何应用两个普通的集成电路和两个晶体管测量当二极管正向偏......
用深能级瞬态谱及光电容谱方法，研究了１．５５μｍ近红外波段的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光伏探测器的深能级缺陷．结果表明，探测器中存在位于禁带中央附近的两个施主深能......
1.半导体超晶格微结构主要内容:半导体超晶格与量子阱材料制备;超晶格和量子阱的输送特性和深能级特性;超晶格量子阱的光学性质研......
为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正......
在Ｓｉ上生长的异质ＧａＡｓ外延薄膜（记作ＧａＡｓ／Ｓｉ）中，存在着深能级，它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于ＧａＡｓ与Ｓｉ之间存在着很大的晶格......
由于在GaAs和Si单晶材料间有着很大的格子常数及线性热膨胀系数差别，所以在St上生长的GaAs异质外延薄膜（GaAs／Si）中会存在着界面失配形......
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的 ,由其X光衍射得知 ,生长过程中分段退火和最后退火......
使用准分子脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)基片上制备了高度c轴取向的MgZnO薄膜。分别使用SEM、XRD、XPS、PL谱和吸收谱表征了薄......
在不同温度和红外光照下，测量了经中子辐照的单晶硅表面光电压，确定了其深能级的位置和少子扩散长度；由双能级复合理论，推导了中子辐照......
温度是影响晶体光折变性质的重要外界参数之一，目前人们已在多种晶体中对其温度依赖的光折变性质进行了研究．最近，我们在固定光栅间距......
本文综合近年 LEC 法生长不掺杂的半绝缘 GaAs 晶体的研究结果,对晶体生长工艺及晶体特性的研究概况作一评述。在晶体生长方面,详......
本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强......
作者研制了具有双绝缘层结构、亮度高、稳定性高,而且固有存贮效应的薄膜电致发光(EL)器件。本文报告的是过去两年(74年10月到76年......
通过不同生长温度研究MOCVD GaAs中0.8eV电子陷阱(称为EL2)浓度与生长过程中As/Ga克分子比的关系。发现存在一个生长温度界线,把生......
本文指出两种不同的补偿机理是引起深硼注入后观测到的载流子移出的原因:1)注入损伤,它主要引进导带下约0.55eV处的一个深能级窄带......
