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利用Ａｕ－Ｓｉ面垒探测器是灵敏区前的死层作为靶物质，研究了Ｈｎ＾＋（ｎ≤７，２５０ｋｅＶ／ｐ－４５０ｋｅＶ／ｐ）团簇的其中的能损，得到能损比Ｒｎ〉１，且随团簇大小ｎ和平均每核子能量增加而增大。
Hn^＋（n≤7）团簇）在Au—Si面垒探测器死层中的能损
【摘 要】
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利用Ａｕ－Ｓｉ面垒探测器是灵敏区前的死层作为靶物质，研究了Ｈｎ＾＋（ｎ≤７，２５０ｋｅＶ／ｐ－４５０ｋｅＶ／ｐ）团簇的其中的能损，得到能损比Ｒｎ〉１，且随团簇大小ｎ和平均每核子能量增加而增大。
【机 构】
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四川联合大学（四川大学）原子核科学技术研究所,四川联合大学（四川大学）物理系
【出 处】
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原子与分子物理学报
【发表日期】
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1999年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金,国家教委专项基金,核科学基金
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