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介绍了８０８ｎｍ高功率最子阱远结半导体激光器的结构和器件特性，测试了器件的低步电噪声，讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系。结果表明，８０８ｎｍ高功率量子阱远结半导体激光的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低，其噪声在低频段主要为１／ｆ噪声，且以阈值附近有量大值，器件噪声与器件质量有一定的相关性。