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采用扫描隧道显微镜（STM）于78 K研究了单个叔丁胺分子在Cu（111）表面的横向跃迁现象.研究发现叔丁胺分子的跳跃几率随隧道电流的增加而线性增加,这表明该过程是单电子激发过程;在不同极性的隧道结电场作用下,叔丁基胺分子跳跃行为发生的几率不同,这种现象可以用电场辅助的扩散过程解释.在不同极性电场作用下叔丁胺分子在Cu（111）表面的吸附能和扩散势垒不同,从而表现出不同的跳跃几率.