低压MOCVD生长ZnO单晶薄膜的制备与性质

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【摘要】

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利用LP-MOCVD生长技术,采用Zn(C2H5)2作Zn源和CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上获得了沿c轴取向高度一致的ZnO单晶薄膜.通过对其吸收谱的曲线拟合,得到室温下ZnO薄膜的光学带

【作者】

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叶建东顾书林朱顺明胡立群陈童秦峰张荣施毅沈波

【机构】

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南京大学物理系

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

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氧化锌金属有机物化学汽相沉淀 X射线衍射光致发光吸收 ZnO metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)

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利用LP-MOCVD生长技术,采用Zn(C2H5)2作Zn源和CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上获得了沿c轴取向高度一致的ZnO单晶薄膜.通过对其吸收谱的曲线拟合,得到室温下ZnO薄膜的光学带隙为3.245eV.在样品的室温光荧光谱(PL)中观察到对应于带边发射的较强的发光峰,对样品中蓝带的产生原因进行了讨论.

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