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提出一种集成化平面肖特基变容管微波频段C-V特性物理模型,该模型考虑了由平面结构引起的分布有源层串联电阻、分布结电容、结反向饱和漏电流及侧壁电容对微波频段C-V特性的影响,揭示了集成化平面肖特基变容管C-V特性对频率的依赖,并对变容比作了讨论.模型与实验结果符合得很好.
集成化平面肖特基变容管微波C—V特性物理模型
【摘 要】
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提出一种集成化平面肖特基变容管微波频段C-V特性物理模型,该模型考虑了由平面结构引起的分布有源层串联电阻、分布结电容、结反向饱和漏电流及侧壁电容对微波频段C-V特性的
【机 构】
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西安交通大学微电子所,南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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