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2003年9月18日，AMD在东京召开的“2003 International Conference on Solid State Devices and Mate—rials(SSDM，2003年固态器件及材料国际会议)”上，公布了采用全耗尽绝缘硅(Fully—depleted SOI，FDSOI)、应变硅、三栅极(Tri—Gate)和金属(NiSi)栅极的栅长20nm硅晶体管。AMD战略技术部研究员林明仁表示：