【摘 要】
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本文介绍了一种适用于低功耗、高电源抑制比的低压差线性稳压器（LDO）低温漂、高电源抑制比带隙基准电路。该电路在原有传统的带隙基准电路的基础上，通过在误差放大器输出端与带
【基金项目】
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贵州省社会发展攻关项目黔科合SZ字[2011]3139号
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本文介绍了一种适用于低功耗、高电源抑制比的低压差线性稳压器（LDO）低温漂、高电源抑制比带隙基准电路。该电路在原有传统的带隙基准电路的基础上，通过在误差放大器输出端与带隙基准电流镜之间添加结构简单的PSRR增强电路，使得本文设计的带隙基准较常见带隙基准的电源抑制比（PSRR）提高了近20dB。本文基于CSMC0．5μm工艺Spectre仿真分析结果表明：在-25℃到85℃的温度范围内，输出电压变化值仅为0．3mV，有较好的温度特性。在10K处的电源抑制比为75dB，在60℃的条件下，输出电压在电源电压2．
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