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盆式绝缘子表面电荷累积可能导致高压直流HVDC(high-voltage direct current)气体绝缘设备绝缘子附近电场畸变。基于非线性材料具有根据外界电场变化而自适应调节其电导的特性,本文探究了碳化硅(SiC)在绝缘子气-固界面电荷调控的应用可行性,验证了掺杂SiC的环氧基材料电荷消散性能,研究了掺杂不同质量分数SiC的绝缘子的直流沿面闪络特性。结果表明,SiC掺杂的环氧基绝缘材料具备电导非线性特征;当SiC质量分数超过20%,盆式绝缘子沿面闪络性能得以提升;而支柱绝缘子的直流性能随掺杂量升高