【摘 要】
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基于CFETR工程设计,使用TOKSYS建立了CFETR极向场线圈、真空室壁和包层结构的等效二维模型.在三种平衡的等离子体位形下,分析了包层结构整体等效电阻率和极向不同位置的等效电阻率对等离子体垂直位移增长率的影响.结果表明,垂直位移增长率随着包层整体等效电阻率的增加近似线性增大;降低极向±60°附近的等效电阻率,能减小垂直位移增长率.
【机 构】
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中国科学技术大学物理学院,合肥 230026;中国科学院合肥物质科学研究院,合肥 230031;深圳大学,深圳 518061
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基于CFETR工程设计,使用TOKSYS建立了CFETR极向场线圈、真空室壁和包层结构的等效二维模型.在三种平衡的等离子体位形下,分析了包层结构整体等效电阻率和极向不同位置的等效电阻率对等离子体垂直位移增长率的影响.结果表明,垂直位移增长率随着包层整体等效电阻率的增加近似线性增大;降低极向±60°附近的等效电阻率,能减小垂直位移增长率.
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