【摘 要】
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宽禁带半导体ZnO具有高激子束缚能（60MeV）、低生长温度和低成本等诸多优势,是一种理想的紫外光电材料。作为光电器件的核心部分,薄膜质量是影响器件性能和表现的关键。因此,高
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宽禁带半导体ZnO具有高激子束缚能（60MeV）、低生长温度和低成本等诸多优势,是一种理想的紫外光电材料。作为光电器件的核心部分,薄膜质量是影响器件性能和表现的关键。因此,高质量ZnO薄膜的制备具有重要研究意义。相比于分子束外延和金属有机化学气相沉积等薄膜生长方法,磁控溅射技术具有明显的成本优势,并且适于大尺寸薄膜的生长,是薄膜生长工业中利用率最高的一种技术手段。采用新型共溅射磁控溅射系统,以离轴倾角溅射方式在硅基片上沉积一系列ZnO薄膜,探究了溅射功率和生长气氛等主要工艺参数对ZnO薄膜的形貌、结构和发
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