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对于未来聚变和裂变能源装置,第一壁/包层的结构材料处于严酷的使用环境.其中嬗变产物氢氦对结构材料的作用是所关心的重要问题之一.TisSiC2是一种新型的高性能综合性陶瓷材料——金属陶瓷材料。具有十分优异的耐高温抗辐照特性.本文通过。He(d,p)4He核反应方法获得了400至1100℃He在Ti3SiC2中的扩散系数以及氦在材料中的深度分布,并对氦的扩散行为进行了讨论.发现氦在材料中的演化和内应力的共同作用导致了氦分布的变化.