GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管

来源 :光子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sanji621

【摘要】

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针对单蓝光波长芯片与Y3Al5O12∶Ce3＋黄光荧光粉封装白光发光二极管存在显色性不足的问题,提出了采用双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12∶Ce3＋黄光荧光粉实现高显色性白光发射法,并分

【作者】

：

李正凯严启荣罗长得肖汉章章勇

【机构】

：

华南师范大学光电子材料与技术研究所

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2013年7期

【关键词】

：

GAN 垒层厚度 INGAN GaN量子阱双蓝光波长 GaN Barrier thickness InGaN/GaN quantum well Dual-bl

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针对单蓝光波长芯片与Y3Al5O12∶Ce3＋黄光荧光粉封装白光发光二极管存在显色性不足的问题,提出了采用双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12∶Ce3＋黄光荧光粉实现高显色性白光发射法,并分析了其可行性.利用金属有机化学气相沉积系统在（0001）蓝宝石衬底上顺序生长两个In0.18Ga0.82N/GaN量子阱和两个In0.12Ga0.88N/GaN量子阱的双蓝光波长发光二极管,并对不同GaN垒层厚度的双蓝光波长发光二极管的光电性能进行分析,结果表明沿n-GaN到p-GaN方向减小GaN垒层厚度能实现双蓝光发

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