GaN量子阱相关论文
本文研究了30周期的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构的阴极荧光特性,揭示了光学性质和结构性质的关系.在InGaN/GaN量子阱层底部, ......
在Aixtron 3×2 i近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18和25mm间距的四个lnG......
相对GaAs基量子阱，GaN基量子阱具有更大的导带偏移、更大的LO声子能量和更大的电子有效质量。大的导带偏移有利于利用Al0.82In0.18N......
本文基于介电连续模型和单轴模型，采用雷-丁平衡方程，讨论有限深量子阱中界面声子和局域声子对电子的散射作用.重点讨论室温下，纤锌矿......
采用数值分析方法进行模拟分析InGaN/GaN混合多量子阱中不同活性层结构对GaN基双蓝光波长发光二极管光谱的影响。结果发现只依靠改......
在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/......
针对单蓝光波长芯片与Y3Al5O12∶Ce3＋黄光荧光粉封装白光发光二极管存在显色性不足的问题,提出了采用双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12∶......
对基于InGaN/GaN量子阱的蓝绿双波长发光二极管的材料生长和发光性质进行了研究.通过设计生长多组具有不同参量的外延结构,获得了......
