【摘 要】
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本文介绍了掺InBiCaVIG单晶的制备,结果表明该材料具有小的|K_1/M_s|和△H,低的4πM_(?),高的θ_c,较之GaYIG更适用于低频器件。对离子代换后的结果及材料的磁性能进行了讨论
【机 构】
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电子工业部九所,电子工业部九所,电子工业部九所,电子工业部九所,
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本文介绍了掺InBiCaVIG单晶的制备,结果表明该材料具有小的|K_1/M_s|和△H,低的4πM_(?),高的θ_c,较之GaYIG更适用于低频器件。对离子代换后的结果及材料的磁性能进行了讨论。
In this paper, the preparation of InBiCaVIG single crystal is introduced. The results show that the material has small | K_1 / M_s | and △ H, low 4πM_ (?) And high θ_c, which is more suitable for low frequency devices than GaYIG. The results of the ion substitution and the magnetic properties of the material are discussed.
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