退火工艺对Nd掺杂Ca0．4Sr0．6Bi4Ti4O15薄膜的性能影响

来源 :山东建筑大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiestephen

【摘要】

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利用Sol—Gel法、快速退火工艺在Pt（100）／Ti／SiO2／Si衬底上成功制备了Nd掺杂的Ca0．4Sr0．6Bi4Ti4O15（C0。4S0。6NT）铁电薄膜。分别研究了退火工艺中热解温度、退火温度对C0.4S0.6NT薄膜

【作者】

：

张伟

【机构】

：

山东英才学院建筑工程学院

【出处】

：

山东建筑大学学报

【发表日期】

：

2009年6期

【关键词】

：

C0.4S0.6NT薄膜 ND掺杂 Sol—Gel法取向性能 C0.4S0.6NT thin film Nd doping Sol-Gel meth

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利用Sol—Gel法、快速退火工艺在Pt（100）／Ti／SiO2／Si衬底上成功制备了Nd掺杂的Ca0．4Sr0．6Bi4Ti4O15（C0。4S0。6NT）铁电薄膜。分别研究了退火工艺中热解温度、退火温度对C0.4S0.6NT薄膜取向及铁电性能的影响，并探讨了C0.4S0.6NT薄膜取向生长的微观机制：XRD衍射分析表明：350℃热分解温度得到的薄膜I（200）/I（119）达到最大；退火温度达到700℃，薄膜中的Bi2Ti2O7相全部转化成铋层状钙钛矿相；P—E电学性能测试显示：退火温度高有助于提高

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