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该文对单晶硅的主要技术参数、生产工艺进行了综述。单晶硅在下游IC产业中的利用率逐年增加,而电子产业对硅片的依赖程度亦逐年加深,单晶硅生产要求不断提升,因此热场设计要求更加严格。设计优良的热场能够使炉内的温度分布达到最优化,所以在CZ长晶炉中会逐步地将特殊热场元件应用其中,以促进单晶硅生长技术的发展。重点对直拉法进行了分析,从工艺原理、配料基本原则及氧浓度的控制方面进行了探讨。