Effects of thermal transport properties on temperature distribution within silicon wafer

来源 :中南大学学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dududi
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联合导体和放射热转移模型被用来在晶片以内模仿热转移并且在晶片表面以内在温度不一致上调查热运输性质的效果。这被发现增加的传导性在做并且 undoped 区域帮助越过晶片表面减少温度差别。然而,做的层传导性在全面温度分发和差别上有小效果。当吸收系数从 10 变化时,最高的表面上的温度水平和差别突然落下 < 啜 class= “ a-plus-plus ” > 4 </sup> 到 10 < 啜 class= “ a-plus-plus ” > 3 </sup>
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