【摘 要】
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二氟化氙（XeF2）晶体是一种重要的化学刻蚀材料和激光器件材料.利用密度泛函理论（DFT）,分别采用广义梯度近似（GGA）和局域密度近似（LDA）对XeF2晶体在0～ 120 GPa范围内的结构进行相关分子
【机 构】
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毕节学院理学院,四川大学原子与分子物理研究所
【基金项目】
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贵州省教育厅自然科学基金（20090067）资助项目,毕节学院自然科学类项目（20112025）对本文给予了资助,谨致谢意.致谢毕节学院自然科学类项目（20112025）对本文给予了资助,谨致谢意.
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二氟化氙（XeF2）晶体是一种重要的化学刻蚀材料和激光器件材料.利用密度泛函理论（DFT）,分别采用广义梯度近似（GGA）和局域密度近似（LDA）对XeF2晶体在0～ 120 GPa范围内的结构进行相关分子动力学模拟,得到了压强-体积（p-V）关系.结果表明,低压下用2种方法得到的XeF2晶体数据与实验比较吻合.同时,分析了高压下原子态密度的变化,得到了XeF2晶体带隙与压强的变化关系,表明XeF2晶体在高压下是一种半导体材料.研究其在高压下的变化特征,对实验研究具有一定参考价值.
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