【摘 要】
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基于0.25μm GaAspHEMT工艺设计了一种工作在Ku波段的可调谐模拟移相器.该移相器采用集总参数型复合左右手传输线(CRLH-TL)拓扑结构实现相移网络,并利用可变电容结构进行相位
【机 构】
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杭州电子科技大学“射频电路与系统”教育部重点实验室,杭州310018
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基于0.25μm GaAspHEMT工艺设计了一种工作在Ku波段的可调谐模拟移相器.该移相器采用集总参数型复合左右手传输线(CRLH-TL)拓扑结构实现相移网络,并利用可变电容结构进行相位调谐.为了解决端口失配问题,插入了共源共栅缓冲器来增加隔离度,并中和无源器件带来的损耗.电路采用统一的偏置电压来控制所有变容结构,简化了电路结构.仿真结果表明,该移相器在工作频率内的相移可调谐范围大于90°,在电源电压为1.5 V下,直流功耗为63.3 mW,平均增益大于8.5 dB,幅度波动小于5 dB.
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