pHEMT工艺相关论文
基于0.25μm GaAspHEMT工艺设计了一种工作在Ku波段的可调谐模拟移相器.该移相器采用集总参数型复合左右手传输线(CRLH-TL)拓扑结......
给出了一个采用0.2 μm GaAs PHEMT工艺实现的单片集成高速锁相环电路.芯片采用差分电感电容谐振式负跨导压控振荡器,总面积为0.9 ......
为有效扩展低噪声放大器的带宽,基于分布式放大器基本原理,使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了一种超宽带微波单片集成低噪声放大......
光纤通信系统中,驱动放大器用于驱动电光调制器完成电光转换功能,40Gb/s光通信系统对驱动放大器的指标要求为带宽、增益和输出信号......
给出了一个采用0.2 μm GaAs PHEMT工艺设计的全集成差分负阻式LC压控振荡器电路,芯片面积为0.52×0.7 mm2.采用3.3 V正电源供......
介绍了一种使用0．2μm GaAs PHEMT工艺实现的、可用于万兆以太网10 GBASE-R标准的时钟恢复电路预处理模块的设计研究。电路核心部分......
基于0.15μm栅长GaAs E-PHEMT工艺,设计了一款可应用于X波段和Ku波段的宽带高效率功率放大器。针对二次谐波会明显降低功率放大器......
Avago公司的ALM-1912是一个GPS前端模块,结合了高增益低噪声放大器(LNA)和GPS FBAR滤波器。LNA采用Avago专利的GaAs增强模式pHEMT......
采用0．25μm GaAs PHEMT工艺实现了单片S波段（2．6GHz～3．6GHz）有源混频放大器。电路采用改进的差分对本振和共栅射频混频形式，具有较大的变......
本文报导了光纤通信接收机中GaAs PHEMT工艺前置放大器的设计方法与测试结果.此前置放大器采用单电源供电,由1级放大器、2级源级跟......
