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采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,利用XRD对薄膜结构进行表征,SEM表征薄膜的表面形貌,讨论了退火温度对薄膜结构和电学性质的影响。结果表明,在750℃快退火后,磷受主被激活,得到了p型ZnO:P薄膜。
退火温度对磷掺杂ZnO结构及电学性质的影响
【摘 要】
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采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,利用XRD对薄膜结构进行表征,SEM表征薄膜的表面形貌,讨论了退火温度对薄膜结构和电学性质的影响。结果表明,在750℃快退火后,磷受
【机 构】
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吉林化工学院
【出 处】
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大学物理实验
【发表日期】
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2018年6期
【基金项目】
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吉林化工学院校级项目(2015053);吉林化工学院校级博士启动项目(2015129);吉林化工学院重大科技项目(2015011)
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