硅片少子寿命的直排四探针测试

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhang5658
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用直排四探针方法测试硅抛光片的电阻率时 ,减少表面复合和增大测试电流故意引进注入使电阻率减少 ,根据电导率与少数载流子寿命成正指数增加的关系 ,求得少子寿命
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