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用同步辐射光电子能谱（SRPES）和X射线光电子能谱（XPS）的方法研究了室温下Cu／3C-SiC（111）界面的形成。在超高真空下，Cu慢慢沉积到2ML。Cu2p3／2用XPS测得，结合能从沉积0．08ML时的933．1eV移动到沉积2ML的932．8eV，Si2p用同步辐射光测得，峰位从未沉积时的43．55eV移动到沉积2ML的43．87eV，峰形状未发生变化，表明Cu与衬底之间没有发生化学反应，薄膜的生长开始为二维生长，超过0．1ML时变为三维生长，SiC的表面有表面态存在，当沉积少量的Cu时，表面