论文部分内容阅读
利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于：巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式开关低频隔离度的优点。通过流片得到了满意的开关样品,测试结果表明：在DC-6 GHz频率范围内,开关的插入损耗小于0.5 dB,隔离度大于30 dB。