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研究了低压化学气相淀积方法制备的n—3C—SiC／p—Si(100)异质结二极管(HJD)在300～480K高温下的电流密度—电压(J—V)特性．室温下HJD的正反向整流比(通常定义为±1V外加偏压下)最高可达1．8×10^4，在480K时仍存在较小整流特性，整流比减小至3．1．在300K温度下反向击穿电压最高可达220V．电容—电压特性表明该SiC／Si异质结为突变结，内建电势Vbi为0．75V．采用了一个含多个参数的方程式对不同温度下异质结二极管的正向J—V实验曲线进行了很好的拟和