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用电子束反应蒸发法制备了的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜和Ａｌ２Ｏ３膜组成的ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｌ２Ｏ３膜系，解决了ａ－Ｓｉ／Ａｌ２Ｏ３膜系在８０８ｎｍ波长有较强光吸收问题，吸收系数从２×１０＾３ｃｍ＾－１降低到可以忽略的程度，ａ－Ｓｉ：Ｈ膜的光学带隙为１．７４ｅＶ左右，应用到８０８ｎｍ大功率量子阱激光器腔面底膜上，其器件光电性能获得较大改善。