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III-V族半导体在第三代红外探测器中扮演了重要的角色，近年来越来越受到人们的瞩目，特别是 InAs/GaSb二类超晶格已经成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料。本文简要回顾了以色列 SCD公司在 III-V族红外探测器的研究历程。重点总结了 SCD关于 InAsSb nBn中波高温探测器和 InAs/GaSb二类超晶格 pBp长波探测器中的研发。