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分两步提取厂HfO2高κ栅介质等效氧化层厚度（EOT），首先，根据MIS测试结构等效电路，采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正，得出HfO2高κ栅介质的准确C-V特性，其次，给出了一种利用平带电容提取高κ介质EOT的方法，该方法能克服量子效应所产生的反型层或积累层电容的影响，采用该两步法提取的HfO2高κ栅介质EOT与包含量子修正的Poisson方程数值模拟结果对比，误差小于5％，验证了该方法的正确性。