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理论上模拟了全息光刻法制备二维硅基图形阵列的光强分布和显影过程,通过改变激光波长及入射光与样品表面的夹角即可得到不同周期的二维图形.在此基础上,采用三束光一次曝光和湿法腐蚀图形转移技术,在n型（100）硅衬底上制备出了周期在亚微米量级的均匀二维图形阵列.该方法适合大面积硅基图形阵列的制作.
激光全息法制备二维硅基图形衬底
【摘 要】
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理论上模拟了全息光刻法制备二维硅基图形阵列的光强分布和显影过程,通过改变激光波长及入射光与样品表面的夹角即可得到不同周期的二维图形.在此基础上,采用三束光一次曝光
【机 构】
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厦门大学物理系半导体光子学研究中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：60336010,60676027）,福建省人才创新基金（批准号：2004J021）和福建省工业科技重点（批准号：2006H0036）资助项目.致谢 对在制备过程中提供了指导与帮助的刘守教授等人表示衷心的感谢.
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