【摘 要】
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磁性隧道结经过结构优化和性能提升已成功应用于磁存储、磁传感、磁逻辑等多种自旋电子学器件中。磁传感是利用磁性隧道结的自由层和钉扎层之间特殊的磁结构来实现隧穿磁电阻（TMR）随磁场的线性输出。迄今为止，人们基于MgO磁性隧道结已经研发出五种TMR线性传感单元，它们分别是人工间接双交换耦合型、磁场偏置型、面内/面外垂直型、超顺磁型的TMR线性传感单元。本文梳理了这五种TMR线性传感单元并对它们的磁传感性
【机 构】
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中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家研究中心
【基金项目】
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国家电网有限公司总部管理科技项目资助（“新型高灵敏度、高可靠性磁敏传感机理研究及材料制备”，项目号5700-202058381A-0-0-00）；
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磁性隧道结经过结构优化和性能提升已成功应用于磁存储、磁传感、磁逻辑等多种自旋电子学器件中。磁传感是利用磁性隧道结的自由层和钉扎层之间特殊的磁结构来实现隧穿磁电阻（TMR）随磁场的线性输出。迄今为止，人们基于MgO磁性隧道结已经研发出五种TMR线性传感单元，它们分别是人工间接双交换耦合型、磁场偏置型、面内/面外垂直型、超顺磁型的TMR线性传感单元。本文梳理了这五种TMR线性传感单元并对它们的磁传感性能进行了系统比较，为人们探索和发现磁敏传感器的相关应用提供了帮助。
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