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<正>随着我国科技事业的大力发展,尤其是航空航天、高铁和高压输电等尖端领域,非常需要性能更好的功率器件作为研究和发展的支撑。而硅(Si)器件由于材料本身的限制导致其不适合在某些严酷条件下工作,例如在高温、高压和高辐射等特殊环境下其性能已经接近极限。而第3代宽带隙半导体材料由于其材料本身所具备的优势而被业界称为"极端电子学器件"的基础材料。以碳化硅(Si C)为基