【摘 要】
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现行工艺得到的PECVD氮化硅含氢量较高,以其为钝化介质的某些器件会出现电性能不稳定.为此本文介绍一种新的PECVD氮化硅工艺,它以NF_3代替传统的NH_3作气体源,从而获得了改进
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现行工艺得到的PECVD氮化硅含氢量较高,以其为钝化介质的某些器件会出现电性能不稳定.为此本文介绍一种新的PECVD氮化硅工艺,它以NF_3代替传统的NH_3作气体源,从而获得了改进的掺氟低氢氮化硅薄膜.
The PECVD silicon nitride obtained by current technology has a high hydrogen content and some devices with passivation media will have unstable electrical properties.Therefore, a new PECVD silicon nitride process is introduced in this paper, which replaces the traditional Of NH 3 gas source, resulting in improved fluorine-doped low hydrogen silicon nitride film.
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