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该文提出6H-SiC((0001?))/SiO2间过渡层的概念和过渡层结构,通过分析过渡层与HF溶液的反应机理,建立湿化学处理中的SiC表面氢化模型。模型以氢钝化SiC表面悬挂键,降低SiC表面的界面态密度,消除了费米能级钉扎,获得理想的SiC表面。将此模型用于SiC/金属接触的SiC表面处理,在100℃以下制备了理想因子n=1.2~1.25的肖特基结和比接触电阻ρc=5×10?3??cm2~7×10?3??cm2的SiC欧姆接触,其优点在于不仅避免了欧姆接触800~1200℃的高温合金,而且改善了