二硒化钨(WSe2)具有双极导电特性,可以通过外界掺杂或改变源漏金属来调节载流子传输类型,是一类特殊的二维纳米材料,有望在未来集......

石墨烯的发现,使得二维材料引起学术界和工业界广泛的关注,基于传统半导体材料的光电探测器已经无法满足当今科技快速发展的需要,......

作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法,在n型6H-SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触.作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了......

随着晶体管特征尺寸的不断缩小和集成电路集成度的不断增大,传统的在金属电极和硅基底的界面处生成自对准硅化物的技术已经达到了......

该文提出6H-SiC((0001?))/SiO2间过渡层的概念和过渡层结构,通过分析过渡层与HF溶液的反应机理,建立湿化学处理中的SiC表面氢化模......

介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属......

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基于Si的互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMO S)器件跟随摩尔定律不断的按比例缩小已有几十载......

近十几年来,二维材料凭借非比寻常的物理特性和在超薄电子和光电子器件中的潜在应用引起了人们极大的兴趣,并引发了对其基本性质的......

随着半导体产业的不断发展，根据摩尔定律，Si材料器件已逐渐达到尺寸极限，由于尺寸的不断减小带来的可靠性问题亟待解决，包括GaAs在内的......