【摘 要】
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本文阐述了大容量锂离子电池包内部功率MOSFET的配置以及实现二级保护的方案;论述了其实现高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圆技术和CSP封装技术的特点;提出了保证电池包安全可靠工作,功率MOSFET必须具有的技术参数,以及如何正确测量MOSFET的工作温度;最后,给出了输出端并联电阻以及提高控制芯片的输出检测电压2种方案,避免漏电流导致电池包不正常工作的问题.
【机 构】
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万国半导体元件(深圳)有限公司,上海 200070
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本文阐述了大容量锂离子电池包内部功率MOSFET的配置以及实现二级保护的方案;论述了其实现高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圆技术和CSP封装技术的特点;提出了保证电池包安全可靠工作,功率MOSFET必须具有的技术参数,以及如何正确测量MOSFET的工作温度;最后,给出了输出端并联电阻以及提高控制芯片的输出检测电压2种方案,避免漏电流导致电池包不正常工作的问题.
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