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提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺点,拓宽了公式的使用范围.分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量,与实验数据进行了对比,两者符合得很好.
温度、Ge含量和掺杂浓度对Si1-xGex
【摘 要】
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提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺点,拓宽了公式的使用范围.分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料
【机 构】
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北京大学微电子学研究所,
【出 处】
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城市道桥与防洪
【发表日期】
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2004年期
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