【摘 要】
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通过能量为100keV,剂量为1×10^18cm^-2的N^+注入到硅基体中,经1000 ̄1200℃之间快速退火后,形成了含氧的硅与氮化硅镶嵌结构的薄膜层。在室温下观察到主要来自于45nm表面层的能量分别为3.3eV、3.0eV,2.8eV和2.2eV的光致发光。通过XPX、
【机 构】
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中国科学技术大学研究生院,中国科学院物理研究所
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通过能量为100keV,剂量为1×10^18cm^-2的N^+注入到硅基体中,经1000 ̄1200℃之间快速退火后,形成了含氧的硅与氮化硅镶嵌结构的薄膜层。在室温下观察到主要来自于45nm表面层的能量分别为3.3eV、3.0eV,2.8eV和2.2eV的光致发光。通过XPX、AES的分析,确认了由于氧的插入,样品中N-Si-O缺陷,Si/SiO2界面发光中心,分别是引起3.0eV和2.2eV的光
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