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分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分束延生长法生长出ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到１０Ｗ（室温，连续），峰值波长为８０６～８０９ｎｍ。
GaAlAs／GaAs单量子阱列阵半导体激光器
【摘 要】
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分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分束延生长法生长出ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到１０Ｗ（室温，连续），峰值波长为
【机 构】
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吉林大学电子工程系,长春光学精密机械学院高功率半导体激光因家重点实验室
【出 处】
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中国激光
【发表日期】
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2000年12期
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