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本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×1016cm-3时,SI-GaAs的热稳定性变差;而C含量小于5×1015cm-3时,通常表现出良好的热稳定性。
半绝缘砷化镓中碳含量对热稳定性的影响
【摘 要】
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本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×1016cm-3时,SI-GaAs的热稳定性变差;而C含量小于5×1015cm-
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所210016,210016,210016
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1992年01期
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