【摘 要】
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用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,纯 Ar气氛 ,基片分别为加热 3 0 0℃和不加热的情况下制备的 No.2系列和 No.7系列的用 Y2 O3稳定的 Zr O2 薄膜 (简称 YSZ膜 ) .研究
【机 构】
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华中理工大学物理系,华中理工大学材料科学与工程系,中国科学技术大学近代物理系,江西师范大学物理系
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用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,纯 Ar气氛 ,基片分别为加热 3 0 0℃和不加热的情况下制备的 No.2系列和 No.7系列的用 Y2 O3稳定的 Zr O2 薄膜 (简称 YSZ膜 ) .研究发现 :YSZ膜心部区 S参数随退火温度升高而降低 ;YSZ膜的过渡区宽度随退火温度升高而变窄 ;基片加热 ,有助于获得稳定、均匀、致密的薄膜组织
Using slow positron emission (EBS) technique, a series of No.2 and No.7 series Y2 O3 thin films fabricated in the absence of bias and pure Ar atmosphere during sputtering were prepared by heating at 300 ℃ and without heating, respectively. The results show that the S-parameter of YSZ film decreases with the increase of annealing temperature and the width of YSZ film becomes narrower with the increase of annealing temperature. To obtain a stable, uniform, dense film organization
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