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SiC基GaN激光划片工艺研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wwf5278

【摘 要】

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介绍了一种SiC基GaN激光划片工艺。通过对划痕形貌、裂片效果、热效应和装配适应性四方面的分析,在几种氮化镓激光划片试验中优化得出高质量划切工艺,并通过小批量生产证明新

【作 者】

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王彦硕 邹鹏辉 贾洁 林罡 高建峰 陈堂胜 

【机 构】

：

南京电子器件研究所,

【出 处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2017年01期

【关键词】

：

氮化镓高电子迁移率晶体管 碳化硅衬底 激光划片 隐形切割 划痕 

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介绍了一种SiC基GaN激光划片工艺。通过对划痕形貌、裂片效果、热效应和装配适应性四方面的分析,在几种氮化镓激光划片试验中优化得出高质量划切工艺,并通过小批量生产证明新工艺在良率、效率方面有一定的优势。

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